RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
74
Wokół strony -155% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.1
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
5.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1735
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link