RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
74
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.7
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
8.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1999
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link