RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2589
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link