RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
74
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2687
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link