RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
74
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3084
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link