RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
74
Wokół strony -147% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3609
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link