RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
74
96
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
96
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
5.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
1211
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link