RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
74
Wokół strony -61% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2660
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link