RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
74
Wokół strony -106% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2734
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5428-049.A00LF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link