RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3411
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link