RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3204
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link