RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
74
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,201.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2524
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link