RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
74
Wokół strony -236% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
2801
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 36JSF1G72PZ-1G6K1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link