RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
73
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3046
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link