RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3625
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link