RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3625
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link