RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2575
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link