RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
73
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
70
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1971
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link