RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3473
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link