RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
73
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3169
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link