RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3340
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link