RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
73
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3332
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link