RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3090
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link