RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
73
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3855
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link