RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3143
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link