RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3563
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link