RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
73
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2018
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F24EA8GS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link