RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
73
Wokół strony -192% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3651
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link