RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3332
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link