RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2408
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link