RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
73
Wokół strony -232% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2942
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link