RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3127
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link