RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
73
Wokół strony -217% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2709
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link