RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
73
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
66
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1909
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link