RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
73
Wokół strony -204% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
1433
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link