RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2426
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link