RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2432
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link