RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3038
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link