RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3119
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link