RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3126
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link