RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
24.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
73
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
24.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
4001
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link