RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
73
Wokół strony -265% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3234
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link