RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
73
Wokół strony -265% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3726
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link