RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
73
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3606
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link