RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
73
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3075
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link