RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3779
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link