RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
73
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3486
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link