RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
73
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3925
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A
Kingston ACR16D3LS1KBG/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link