RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
73
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2254
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link