RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
73
Wokół strony -161% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2690
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link