RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2393
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link